Grundlagen

Die Kantenverrundung von rundgeschliffenen 300 mm Wafern aus Reinstsilizium dient primär zur Vermeidung von Ausbrüchen dieses spröden Materials. Je nach weiterer Bearbeitung wie z.B. Beschichtungsvorgängen werden gezielt bestimmte Konturen nach Kundenwunsch an die Waferkanten angeschliffen. Hierbei müssen Konturabweichungen möglichst gering gehalten werden.

Im Rahmen der Qualitätssicherung ist es daher unerlässlich, die Kantenkonturen mit möglichst hoher Präzision zu bestimmen. Für die Beurteilung lassen sich aus der gemessenen Kontur geometrische Parameter wie z.B. Steg- und Facettenlängen sowie Flankenhalbwinkel und Radien bestimmen. In den Fachgremien der SEMICON wurden hierfür entsprechende Vorgaben und Standards erarbeitet.

Zur Bestimmung der Kantengeometrieparameter nach diesen Richtlinien waren bisher ein hoher Aufwand an Personal- und Messmitteln notwendig. Diese zeitaufwändigen Messungen basierten auf einer Kombination verschiedener optischer und mechanischer Untersuchungsmethoden und waren daher nicht frei von subjektiven Einflüssen. Zudem lassen eingesetzte Profilprojektionstechniken eine Konturmessung im Notch vom Prinzip her nicht zu.

Erst mit der Entwicklung von Komplettmesssystemen, die auf Lichtschnitttechnik basieren, konnte die Präzision der Messung wesentlich erhöht und gleichzeitig der hierfür notwendige Zeitaufwand deutlich verringert werden. Außerdem kann nun innerhalb eines Messablaufes auch die Kontur im Bereich des Notches ermittelt werden.